碳化硅

产品描述

4寸碳化硅晶圆 HPSI型 高导热系数 高击穿电压 低介电常数

2寸 4寸 6寸 8寸

可定制尺寸，现货

产品摘要

碳化硅是一种由硅和碳组成的半导体化合物，属于宽带隙材料。物理键非常牢固，这使碳化硅半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。SIC器件具有宽带隙特性和高热稳定性，可在比硅更高的结温下使用。它可用于抛光双面的半绝缘碳化硅半导体晶圆。

产品参数

产品特性

更高的导热系数：SIC晶圆的导热系数比硅高得多，这意味着SIC晶圆可以有效散热，适合在高温环境下运行。

更高的电子迁移率：SIC晶圆比硅具有更高的电子迁移率，使SIC器件能够以更高的速度运行。

更高的击穿电压：SIC晶圆材料具有更高的击穿电压，使其适用于制造高压半导体器件。

更高的化学稳定性：SIC晶圆具有更强的耐化学腐蚀能力，有助于提高器件的可靠性和耐用性。

更宽的带隙：SIC晶圆比硅具有更宽的带隙，使SIC器件在高温下性能更好、更稳定。

更好的抗辐射性：SIC晶圆具有更强的抗辐射能力，使其适合在辐射环境中使用，例如航天器和核设施。

更高的硬度：SIC晶圆比硅更硬，增强了晶圆在加工过程中的耐用性。

产品应用

电力电子：SiC晶圆因其高击穿电压和低功率损耗特性，被广泛应用于电力转换器、逆变器、高压开关等电力电子设备中。

电动汽车：碳化硅晶圆用于电动汽车电力电子设备，以提高效率并减轻重量，从而实现更快的充电和更长的行驶里程。

可再生能源：碳化硅晶圆在太阳能逆变器和风力发电系统等可再生能源应用中发挥着至关重要的作用，可提高能量转换效率和可靠性。

航空航天和国防：SiC 晶圆在航空航天和国防工业中是必不可少的，用于高温、高功率和抗辐射应用，包括飞机动力系统和雷达系统。