碳化硅

产品描述

SiC衬底 导电型 4H-N 6寸 直径150mm 厚度350μm Prime级 研究级 

可定制尺寸形状

产品摘要

碳化硅晶圆是一种高性能材料，用于生产电子设备。它由硅晶圆顶部的碳化硅层制成，有不同的等级、类型和表面光洁度可供选择。晶圆的平坦度为 Lambda/10，这确保了由晶圆制成的电子设备具有最高的质量和性能。碳化硅晶圆是用于电力电子、LED 技术和先进传感器的理想材料。我们为电子和光电行业提供高质量的碳化硅晶圆（碳化硅）。

产品参数

产品特性

更高的导热系数：SIC晶圆的导热系数比硅高得多，这意味着SIC晶圆可以有效散热，适合在高温环境下运行。

更高的电子迁移率：SIC晶圆比硅具有更高的电子迁移率，使SIC器件能够以更高的速度运行。

更高的击穿电压：SIC晶圆材料具有更高的击穿电压，使其适用于制造高压半导体器件。

更高的化学稳定性：SIC晶圆具有更强的耐化学腐蚀能力，有助于提高器件的可靠性和耐用性。

更宽的带隙：SIC晶圆比硅具有更宽的带隙，使SIC器件在高温下性能更好、更稳定。

产品应用

光电子器件:SiC 具有直接带隙特性,可用于制造发光二极管、光探测器等光电子器件。主要应用于太阳能电池、指示灯、光通信等领域。

机械和高温传感器:SiC 材料在机械强度、耐高温、抗辐射等方面优势明显。非常适用于制造用于恶劣环境的机械、压力、温度等传感器。应用于航天航空、汽车、工业控制等领域。