产品描述
Sic碳化硅衬底 5.0*5.0mm 方形 6H-P型 厚度350μm 产品级 测试级
可定制尺寸形状
产品摘要
6H-SiC(六方碳化硅)是一种宽禁带半导体材料,具有良好的热导性和耐高温性能,广泛应用于高功率和高频电子器件。P型掺杂是通过引入如铝(Al)等元素实现的,这使得材料具有正电性,适用于特定的电子器件设计。带隙约3.0 eV,适合在高温、高电压环境下工作。热导率是优于许多传统半导体材料,有助于提高器件效率。机械强度具有良好的机械强度,适合高功率应用。在电力电子领域可用于制造高效的功率器件,如MOSFET和IGBT。在射频设备领域中,在高频应用中表现优越,广泛应用于通信设备。在LED技术领域可用于蓝光和紫外LED器件的基础材料。
产品参数
产品展示
产品特性
宽禁带: 带隙约为3.0 eV,使其适用于高温、高电压和高频应用。
优良的热导率: 具备良好的热导性,有助于散热,提高器件性能和可靠性。
高强度和硬度: 机械强度高,抗碎裂和抗磨损,适合恶劣环境下使用。
电子迁移率: P型掺杂后依然保持相对较高的载流子迁移率,支持高效的电子器件。
光学特性: 具有独特的光学性质,适用于光电子领域,例如LED和激光器。
化学稳定性: 对化学腐蚀有良好的抵抗能力,适合于苛刻的工作环境。
适应性强: 可以与多种衬底材料结合,适用于多种应用场景。
产品应用
电力电子: 用于制造高效功率器件,如MOSFET和IGBT,广泛应用于变频器、电源管理和电动汽车。
射频和微波设备: 应用于高频放大器、射频功率放大器,适合通信和雷达系统。
光电子: 在LED和激光器中作为基底,特别是在蓝光和紫外光应用中。
高温传感器: 由于其良好的热稳定性,适合于高温传感器和监测设备。
太阳能和能源系统:用于太阳能逆变器和其他可再生能源应用,提高能量转换效率。
汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车的电力系统中,进行性能优化和节能。
工业电气设备:用于各种工业自动化设备和机器的电源模块,提高能效和可靠性。