碳化硅

产品描述

Sic碳化硅晶圆衬底 2英寸 4H-P型 厚度350μm 直径50.8mm Zero级 

可定制尺寸形状

产品摘要

4H-P型碳化硅（SiC）是一种重要的半导体材料，通常用于高温、高频和高功率电子器件。4H-SiC是其晶体结构的一种类型，具有六方晶格结构。宽带隙（约3.26 eV），使其能够在高温和高电压环境下工作。较高的热导率（约4.9 W/m·K），优于硅，能够有效引导和散发热量。较高的热导率（约4.9 W/m·K），优于硅，能够有效引导和散发热量。P型掺杂后的碳化硅具有较低的电阻率，适合于构建PN结。随着电动汽车和可再生能源技术的发展，4H-P型碳化硅的需求预计将持续增长，推动相关研究和技术进步。

产品参数

产品展示

产品特性

类型：4H-SiC晶体具有六方晶格结构，提供优良的电气特性。

宽带隙：约3.26 eV，适合高温和高频应用。

P型掺杂：通过掺杂铝等元素获得P型导电性，增加孔导体浓度。

电阻率：较低的电阻率，适合于高功率器件。

高热导率：约4.9 W/m·K，有效散热，适合高功率密度应用。

耐高温：可在高温环境下稳定工作。

高硬度：具有非常高的机械强度和韧性，适用于严苛条件。

高击穿电压：能够承受更高的电压，减少设备尺寸。

低开关损耗：在高频操作中具备良好的开关特性，提升效率。

抗腐蚀：对多种化学物质具有良好的抗腐蚀性。

广泛应用：适用于电动汽车、逆变器、高功率放大器等多个领域。

产品应用

1. 功率电子

电源转换器：用于高效的电源适配器和逆变器，可实现更小的体积和更高的能量效率。

电动汽车：在电动汽车的驱动模块和充电站中，优化功率转换效率。

2. 射频器件

微波放大器：用于通信和雷达系统，提供可靠的高频性能。

卫星通信：高功率放大器，适用于通信卫星。

3. 高温应用

传感器：用于极端温度环境下的传感器，能够稳定工作。

工业设备：适应高温条件的设备和仪器。

4. 光电子

LED技术：在特定短波长LED中用于提高发光效率。

激光器：高效的激光器应用。

5. 电力系统

智能电网：在高压直流（HVDC）输电和电网管理中，提升能量效率和稳定性。

6. 消费电子

快速充电设备：提高充电效率的便携式电子设备充电器。

7. 可再生能源

太阳能逆变器：在光伏系统中实现更高的能量转换效率。