碳化硅

产品描述

2寸碳化硅晶圆 HPSI型 高硬度 耐高温 耐磨 防腐蚀 

可定制尺寸

2寸碳化硅晶圆摘要

碳化硅（SiC）是一种功能性宽禁带化合物半导体材料。近年来，由于其优异的性能，受到了广泛的关注。碳化硅、半绝缘碳化硅具有广泛的应用前景，是最有前途的发展材料之一。碳化硅具有许多良好的性能，使其保持独特的优势地位。碳化硅的导热系数是硅的3倍以上，在电子电力和设备中可以实现更好的散热。碳化硅具有较高的击穿电压，在击穿前可以承受较高的电场，从而实现更高电压的功率器件。碳化硅具有优异的性能和较高的工作温度。它可以在比硅高得多的温度下保持性能，工作稳定可靠，最高工作温度可达600°C。 碳化硅具有更低的导通电阻、高击穿电压和更宽的带隙，使其可以降低功率开关中的电阻。

半绝缘碳化硅（semi SiC）是一种特殊的碳化硅材料。具有高电阻率、高击穿电压、高导热系数、抗辐射能力强等优越性能。半绝缘碳化硅是一种非常有价值的新型功能半导体材料，凭借其独特的耐电、耐热、耐辐射性能，在大功率、高频、高温等领域具有广阔的应用前景。

2寸碳化硅晶圆参数

2寸碳化硅晶圆特性

更高的导热系数：SIC晶圆的导热系数比硅高得多，这意味着SIC晶圆可以有效散热，适合在高温环境下运行。

更高的电子迁移率：SIC晶圆比硅具有更高的电子迁移率，使SIC器件能够以更高的速度运行。

更高的击穿电压：SIC晶圆材料具有更高的击穿电压，使其适用于制造高压半导体器件。

更高的化学稳定性：SIC晶圆具有更强的耐化学腐蚀能力，有助于提高器件的可靠性和耐用性。

更宽的带隙：SIC晶圆比硅具有更宽的带隙，使SIC器件在高温下性能更好、更稳定。

更好的抗辐射性：SIC晶圆具有更强的抗辐射能力，使其适合在辐射环境中使用

例如航天器和核设施。

更高的硬度：SIC晶圆比硅更硬，增强了晶圆在加工过程中的耐用性。

更低的介电常数：SIC晶圆的介电常数比硅低，有助于减少器件中的寄生电容，提高高频性能。

更高的饱和电子漂移速度：SIC晶圆具有比硅更高的饱和电子漂移速度，使SIC器件在高频应用中具有优势。

更高的功率密度： 凭借上述特性，SIC晶圆器件可以在更小的尺寸中实现更高的功率输出。

2寸碳化硅晶圆展示

2寸碳化硅晶圆应用

1、电力电子：SiC晶圆因其高击穿电压和低功率损耗特性，被广泛应用于电力转换器、逆变器、高压开关等电力电子设备中。
电动汽车：碳化硅晶圆用于电动汽车电力电子设备，以提高效率并减轻重量，从而实现更快的充电和更长的行驶里程。
2. 可再生能源：碳化硅晶圆在太阳能逆变器和风力发电系统等可再生能源应用中发挥着至关重要的作用，可提高能量转换效率和可靠性。
3. 航空航天和国防：SiC 晶圆在航空航天和国防工业中是必不可少的，用于高温、高功率和抗辐射应用，包括飞机动力系统和雷达系统。
4. 工业电机驱动器：SiC晶圆用于工业电机驱动器，以提高能源效率，减少散热，并延长设备的使用寿命。
5.无线通信：SiC晶圆用于射频功率放大器和无线通信系统中的高频应用，提供更高的功率密度和更高的性能。
6. 高温电子：碳化硅晶圆适用于传统硅器件可能无法可靠运行的高温电子应用，例如井下钻井和汽车发动机控制系统。
7. 医疗设备：SiC 晶圆因其耐用性、高导热性和抗辐射性而在 MRI 机器和 X 射线设备等医疗设备中得到应用。
8. 研究与开发：碳化硅晶圆被用于研究实验室和学术机构，用于开发先进的半导体器件和探索电子领域的新技术。
9. 其他应用：SiC 晶圆因其独特的性能和性能优势而被用于恶劣环境传感器、高功率激光器和量子计算等领域。