碳化硅

半绝缘碳化硅产品介绍

产品概述

碳化硅(SiC)是一种具有广泛应用前景和最具发展前途的功能性宽带隙化合物半导体之一，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性。半绝缘碳化硅（semi SiC）是一种特殊的碳化硅材料。也具有高电阻率，高击穿电压，热导率高，抗辐射能力强等优越性能。

半绝缘碳化硅是一种非常有价值的新型功能性半导体材料，凭借其独特的电学、热学和抗辐射特性,半绝缘碳化硅在高功率、高频、高温等领域有广阔的应用前景。

产品特性

1.高电阻率:

      半绝缘碳化硅的电阻率可达10^9-10^10 Ω·cm,远高于普通的导电型碳化硅。这使其能够在功率电子器件、微波器件等领域发挥重要作用。

2.高击穿电压:

       由于高电阻率,半绝缘碳化硅可承受较高的击穿电压,通常在几千伏以上,非常适用于高压电力电子器件。

3.良好的热学特性:

       半绝缘碳化硅热导率较高,可有效散热,有利于器件的集成与可靠性。

4.良好的辐射抗性:

       半绝缘碳化硅对电离辐射的抗性优于硅,适用于航空航天等特殊环境。

5.制备工艺复杂:

       半绝缘碳化硅的生长需要精细的工艺控制,如掺杂浓度、缺陷密度等。

应用领域

半绝缘碳化硅由于其优异的电学、热学和辐射抗性能,在以下领域有广泛的应用前景:

1.高功率电子器件：功率放大器、高压开关、电力变换设备

2.高频微波器件：微波集成电路、毫米波雷达、卫星通信

3.高温电子系统：汽车电子、工业控制、航空航天电子

4.其他应用：传感器、光电子器件、热管理系统

 产品规格

半绝缘碳化硅晶圆的尺寸，厚度以及表面是否抛光可根据客户的需求定制。

尺寸直径范围2英寸到12英寸不等

厚度可定制

可提供抛光等表面处理选项