硅晶体

产品摘要

Si 最广泛用于工作在 2 - 12 μm 范围内的红外系统中的透镜和窗口。环境不会造成任何问题，因为锗是惰性的、机械坚固的并且相当坚硬。它是多光谱系统和需要 EMI 屏蔽的应用的绝佳选择。锗可以电加热，用于防雾或防冰应用。我们不生产锗，但持有各种直径的直拉基生长材料的库存。它可以用作多晶或单晶。纯度应对应于至少 20 至 30 欧姆/厘米的电阻率，无论是 p 型还是 n 型，以避免吸收带。高回缩率使得增透膜涂层变得必不可少。硅 （Si） 通常用作 1.5 - 8 μm 区域的红外反射器和窗口的衬底材料。9 μm 处的强吸收带使其不适用于 CO2 激光传输应用，但由于其高导热性和低密度，它经常用于激光反射镜。硅也是 20 μm 范围内的有用发射器。

产品展示

产品参数

产品特性

电子特性:硅的禁带宽度约为1.12eV,处于绝缘体和导体之间,在外加电场的作用下能够发生电子-空穴对的生成和复合,从而表现出良好的半导体特性。

可掺杂性:硅可以通过掺入III族(如B)或V族(如P、As)杂质元素来调节其导电类型和电阻率,为制造各种半导体器件提供可能。

可氧化性:硅能够在高温环境下与氧气发生化学反应,形成致密均匀的二氧化硅(SiO2)膜,这为硅基集成电路工艺奠定了基础。

机械特性:硅具有较高的硬度、强度和化学稳定性,利于后续的切割、抛光等加工工艺。

尺寸和大小:硅片可以制备成直径从2英寸到12英寸不等的圆盘状,满足不同工艺制程的需求。

产品应用

集成电路:硅片是制造各类数字集成电路(如CPU、存储器)和模拟集成电路(如运算放大器、传感器)的核心载体。

太阳能电池:将硅片制成太阳能电池组件,广泛应用于分布式光伏发电和电力供给。

微机电系统(MEMS):利用硅材料的机械特性和微加工技术制造微型执行器、传感器等MEMS器件。

功率电子器件:利用硅基的高温耐受性和高功率承载能力制造各类功率半导体器件。