产品描述
GaN-on-SiC 硅基氮化镓外延片晶圆 可用于LED RF 功率器件
4寸 6寸 8寸 可定制尺寸
产品摘要
通过在硅基板上生长单晶 GaN 薄膜，我们可以为下一代设备生产大型、廉价的半导体基板。用于家电中击穿电压在几百的开关设备和逆变器。用于手机基站中大功率和高频晶体管。我们的硅衬底生长GaN的成本比其他碳化硅或蓝宝石衬底更低，并且我们可以根据客户要求提供定制的GaN器件。带隙是指晶体中不含电子的能带结构形成的能量场（带隙大于硅的半导体材料通常被称为宽带隙半导体）。宽带隙材料具有良好的光学透明度和较高的电击穿电压。是不同材料的堆叠。一般来说，在半导体领域中，堆叠不同成分的半导体材料的相对较薄的薄膜。在混晶的情况下，可以得到具有原子级光滑界面和良好界面特性的异质结。由于这些界面，产生了一层具有高电子迁移率的二维电子气。总的来说,GaN-on-SiC 硅基氮化镓外延片晶圆是一种兼具高性能和成本优势的新型半导体材料,在高频微波和功率电子领域有广阔的应用前景。
产品展示
产品参数
产品特性
带隙宽度：氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，其直接带隙约为3.4 eV。宽带隙使其在高温、高压和高频应用中具有独特优势。
电子迁移率：氮化镓的电子迁移率较高，通常在1000-2000 cm²/V·s之间，适合用于高速电子器件。
热导率：氮化镓具有较高的热导率，约为130-170 W/m·K，这使得它在高功率器件中能够有效散热，提升器件的可靠性。
热膨胀系数匹配：硅和氮化镓的热膨胀系数不匹配（硅为2.6 ppm/°C，氮化镓为5.6 ppm/°C），这可能导致在高温处理过程中出现应力和裂纹。通过优化工艺，可以减小这种影响。
晶格失配：硅和氮化镓之间存在约17%的晶格失配，这可能导致高位错密度，但通过优化外延生长技术，如使用过渡层，可以有效降低位错密度。
成本优势：与其他衬底材料如碳化硅（SiC）或蓝宝石（Al2O3）相比，硅基氮化镓晶圆在成本上具有明显优势，特别是在大尺寸晶圆的制造中。
产品应用
氮化镓功率晶体管：用于高效率、高频率的电源管理，特别是在电源转换器和适配器中，显著提高能源效率并减少热量产生。
氮化镓功率放大器：在射频和微波领域中，氮化镓基放大器可用于无线基站、雷达系统等，提供更高的功率输出和更好的线性度。
氮化镓开关器件：广泛应用于DC-DC转换器、电动汽车电机驱动、光伏逆变器和其他高功率转换器件中。
高电子迁移率晶体管（HEMT）：适用于高频通信设备，如5G基站、卫星通信、雷达等，为这些应用提供高功率、高频率的性能。
射频功率放大器：氮化镓基射频放大器在无线通信中具有优异的功率密度和效率，被广泛应用于基站、Wi-Fi设备和军事通信中。
售前咨询专员
