产品描述
Ge锗衬底 半导体基片 可用于聚光光伏CPV 可加工尺寸形状
产品摘要
锗具有良好的半导体特性。高纯度锗掺杂三价元素（如铟、镓、硼）以获得P型锗半导体，五价元素（如锑、砷和磷）掺杂以获得N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。高质量的锗衬底可用于聚光光伏（CPV）、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管（LED）应用。
产品展示
产品参数
产品特性
晶格常数大于硅, 有利于异质结构的构建。
电子迁移率高, 约为硅的3倍, 有利于高速电子器件的制造。
禁带宽度小(0.67 eV), 适合于红外光电检测和发射应用。
对辐射更加敏感, 适用于辐射敏感电子设备。
加工工艺相对复杂, 成本较高。
产品应用
高频模拟和射频电子器件:微波二极管、三极管、集成电路;雷达、通信等微波频段的电子设备
红外光电检测和发射:红外探测器、热成像仪;红外发射二极管、激光二极管
辐射敏感电子设备:化合物半导体异质结构:航天航空电子系统;核电站及军事领域的电子设备
化合物半导体异质结构:III-V族化合物如GaAs、InP等的衬底材料;异质结构太阳电池、激光二极管等
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