碳化硅

产品描述

4寸Sic碳化硅晶圆衬底 6H-P型 厚度350μm Z级 P级 D级

可定制尺寸

产品摘要

6H-SiC（六方碳化硅）是一种宽禁带半导体材料，具有良好的热导性和耐高温性能，广泛应用于高功率和高频电子器件。P型掺杂是通过引入如铝（Al）等元素实现的，这使得材料具有正电性，适用于特定的电子器件设计。带隙约3.0 eV，适合在高温、高电压环境下工作。热导率是优于许多传统半导体材料，有助于提高器件效率。机械强度具有良好的机械强度，适合高功率应用。在电力电子领域可用于制造高效的功率器件，如MOSFET和IGBT。在射频设备领域中，在高频应用中表现优越，广泛应用于通信设备。在LED技术领域可用于蓝光和紫外LED器件的基础材料。

产品特性

宽禁带: 带隙约为3.0 eV，使其适用于高温、高电压和高频应用。

优良的热导率: 具备良好的热导性，有助于散热，提高器件性能和可靠性。

高强度和硬度: 机械强度高，抗碎裂和抗磨损，适合恶劣环境下使用。

产品参数