碳化硅

产品描述

6寸 Sic碳化硅晶锭 4H-N型 直径150mm P级 可抛光打磨

产品摘要

碳化硅晶碇是在SiC晶体生长过程中,作为接种晶体的基底材料。它提供了晶体生长所需的结构模板,控制了晶体的取向和形状。一般使用高纯度6H-SiC或4H-SiC作为晶碇材料。晶碇表面经过精细切割和抛光处理,尽量减少缺陷。晶碇的结晶取向与所需生长晶体的取向匹配。常用的SiC晶体生长方法包括物理气相输运法(PVT)和化学气相沉积法(CVD)。在生长初期,先在晶碇表面生长一层缓冲层,以促进晶体良好外延。晶碇要求晶体结构完整、缺陷少,表面粗糙度低。晶碇与生长晶体的晶格常数和热膨胀系数要尽可能接近。晶碇要与生长环境和气氛相稳定,不产生污染。SiC晶碇在电子、光电、传感等多个高科技领域都发挥着关键作用,是制造高性能SiC器件和材料的基础。随着SiC技术的不断进步,SiC晶碇的应用前景十分广阔。

产品特性

晶体结构:通常使用6H-SiC或4H-SiC作为晶碇材料晶体结构完整,缺陷少,保证了晶体外延的高质量

晶格匹配:SiC晶碇与所生长的SiC晶体需要具有良好的晶格匹配度晶格常数和热膨胀系数接近，有利于减少应变和缺陷

表面质量:晶碇表面经过精细的切割、抛光和化学处理表面粗糙度极低,原子级平整有助于晶体外延生长

化学稳定性:晶碇需要在生长环境下化学稳定,不与气氛发生反应避免了对生长晶体产生污染和影响

晶体取向:晶碇的晶体取向与所需生长晶体的取向完全匹配，实现了对晶体生长方向和形态的良好控制

热学特性:晶碇与生长晶体的热膨胀系数要尽可能接近，减少了生长过程中由于热应力引起的缺陷形成

产品参数

产品应用

功率电子器件制造:SiC晶碇被用作制造SiC功率半导体器件的基底，如SiC MOSFET、SiC JFET、SiC IGBT等高功率、高频率器件，晶碇提供了高质量SiC晶体外延生长的基础

光电子器件制造:SiC晶碇被用作蓝紫光LED、功率激光器等光电子器件的衬底，晶格匹配及晶体质量是制造高性能光电器件的关键

高温传感器:SiC晶体在高温环境下具有优异的性能稳定性，SiC晶碇被用作制造高温、高功率传感器的基底

微波器件:SiC作为宽禁带半导体,适用于制造高频、高功率微波器件，SiC晶碇为这些器件提供了良好的外延生长基础

机械和化学应用:SiC晶体具有优异的机械、化学和热学特性，SiC晶碇为制造SiC基结构材料提供了核心支撑