碳化硅

产品描述

10 *10 mmSic晶圆 3C-N型 碳化硅晶片切割 厚度350μm Z级 产品级

可定制尺寸

产品参数

产品摘要

3C-SiC（立方碳化硅）是一种具有良好电气和热学性能的宽禁带半导体材料，特别适合高频、高功率和电子器件的应用。N型掺杂通常通过引入氮（N）、磷（P）等元素实现，使材料具有负电性，适用于多种电子器件设计。带隙约为3.0 eV，适合高温和高电压应用。N型掺杂后仍保持较高的电子迁移率，增强器件性能。优异的热导性，有助于提升功率器件的散热能力。具备良好的机械强度，适合在苛刻环境下使用。对多种化学物质具有良好的抗性，适合于工业应用。在电力电子中，用于高效功率转换器和驱动器，适合电动汽车和可再生能源系统。在射频和微波应用于射频放大器和微波设备，适合通信系统。在光电子可作为LED和光探测器的基础材料，特别是在蓝光和紫外光领域。在传感器，可用于高温和高功率环境下的传感器系统，提供可靠的性能。3C-N型碳化硅衬底因其优异性能，在现代电子设备中扮演着越来越重要的角色。

产品特性

宽禁带：带隙约为3.0 eV，适用于高温和高电压应用。

高电子迁移率：N型掺杂提供了良好的电子迁移率，增强了器件的整体性能。

优良的热导率：具有出色的热导性，有效提升散热性能，适合高功率应用。

良好的机械强度：具有较高的韧性和抗压强度，适宜在恶劣环境下使用。

耐化学腐蚀性：对多种化学物质具备良好的耐受性，增强了材料的稳定性。

可调的电学特性：通过调节掺杂浓度，可以实现不同的电学特性，满足多种应用需求。