碳化硅

产品描述

8寸LT on Si 复合衬底 直径200mm 产品级 研究级 

可定制尺寸

产品摘要

8寸LT on Si复合衬底是由低温生长的LT (低温)GaAs薄膜生长在Si基底上组成。LT-GaAs具有独特的电学和光学性能,而Si基底提供机械支撑。采用8英寸(~200mm)直径的Si基底,实现了大面积衬底制备。与常见的4英寸和6英寸基底相比,提高了制造效率和规模。LT-GaAs具有亚皮秒电子寿命,可实现超快速光电开关和探测。高电子迁移率和饱和速度有利于制造高频微波器件。LT-GaAs具有宽光谱吸收范围,适用于制造高效光电转换器件。可实现快速光电调制和光逻辑功能。8寸LT on Si复合衬底凭借其出色的电学、光学和热学特性,在高速光电子器件、超快光通信、光计算等领域有广阔的应用前景,是实现光电子集成的重要基础材料。

产品参数

以上仅为典型参数范围,实际参数会根据具体应用需求和制造工艺而有所差异。

产品特性

材料组成:该复合衬底由低温生长的LT (低温)GaAs薄膜生长在Si基底上组成。LT-GaAs具有独特的电学和光学性能,而Si基底提供机械支撑。

尺寸:采用8英寸(~200mm)直径的Si基底,实现了大面积衬底制备。与常见的4英寸和6英寸基底相比,提高了制造效率和规模。

电学特性:LT-GaAs具有亚皮秒电子寿命,可实现超快速光电开关和探测。高电子迁移率和饱和速度有利于制造高频微波器件。

光学特性:LT-GaAs具有宽光谱吸收范围,适用于制造高效光电转换器件。可实现快速光电调制和光逻辑功能。

集成性:8英寸Si基底与标准硅集成电路工艺兼容,有利于异构集成。可将高速光电子器件与传统电子电路集成在同一平台上。

热学特性:Si基底具有良好的热导性,有利于器件热量的dissipation。提高了器件在高功率密度下的工作可靠性。

产品展示

产品应用

高速光通信:LT-GaAs具有亚皮秒电子寿命,可实现超高速的光电调制和探测。应用于光纤通信系统中的光发射器、光接收器等关键器件。

光计算和光信号处理:LT-GaAs的快速光电特性,可实现光逻辑运算、光脉冲处理等功能。应用于光计算机、光信号处理等前沿领域。

太赫兹技术:LT-GaAs可实现稳定高效的太赫兹波发射和探测。应用于太赫兹成像、通信、安全检查等领域。

微波毫米波器件:LT-GaAs具有高电子迁移率和饱和速度,适合制造高频微波器件。应用于雷达、卫星通信、移动通信基站等微波毫米波系统。

光电开关和光探测:LT-GaAs的快速光电特性,可实现高速光电开关和光探测功能。应用于光纤通信、光信号处理、高速成像等领域。

光伏发电:LT-GaAs宽光谱吸收范围,有利于制造高效光伏电池。应用于太阳能电池、光电转换等绿色能源领域。

集成电路异构集成:8英寸Si基底与标准硅工艺兼容,可实现光电子与传统电子集成。有利于先进集成电路的发展,如光电集成电路、光互连等。