碳化硅

产品描述

8寸P级导电型SiC 复合衬底  直径200mm MOS级

可定制尺寸

产品摘要

SiC (碳化硅)是一种宽禁带半导体材料,具有优异的电学、热学和机械性能。该复合衬底通常采用导电型SiC作为基底材料。采用8英寸(~200mm)直径的圆形基底,可实现大面积器件制备。与常见的4英寸和6英寸基底相比,提高了晶圆产能和生产效率。8寸导电型SiC复合衬底凭借其良好的电学、热学和机械特性,在功率电子、高频微波等领域有广泛应用前景,为相关器件的高性能、高可靠性设计提供重要的材料基础。

产品参数

产品特性

材料组成:SiC (碳化硅)是一种宽禁带半导体材料,具有优异的电学、热学和机械性能。该复合衬底通常采用导电型SiC作为基底材料。

尺寸:采用8英寸(~200mm)直径的圆形基底,可实现大面积器件制备。与常见的4英寸和6英寸基底相比,提高了晶圆产能和生产效率。

电学特性:导电型SiC基底具有良好的导电性,可用于制造功率电子器件。高击穿电压、低漏电流等特点,适用于高功率、高频应用。

热学特性:SiC具有高热导率,可有效dissipate器件产生的热量。有助于提高器件的功率密度和可靠性。

机械特性:SiC具有优异的硬度和强度,可承受较大的机械应力。有利于器件在高温、高功率等恶劣环境下的稳定运行。

集成性:8英寸SiC基底可与硅基集成电路制造工艺兼容。有利于功率电子器件与控制电路的集成。

产品展示

产品应用

功率电子器件:SiC材料优越的电学性能,如高击穿电压、低导通电阻等,非常适用于制造功率半导体器件。常见应用包括功率开关、整流器、变频器等,广泛应用于电力电子、新能源等领域。

高频微波器件:SiC具有优异的热导率和温度稳定性,可用于制造高频微波功率放大器等器件。应用于雷达、卫星通信、基站等高频微波系统。

电力系统:SiC功率器件具有高效率、小型化等优势,有利于电力系统的高密度、高效集成。如用于电网、新能源逆变器、电动汽车电机驱动等领域。

轨道交通:SiC功率电子器件在轨道交通牵引系统、轨道供电系统中有重要应用。可提高系统效率、降低能耗、提高可靠性。

航空航天:SiC器件在恶劣环境下稳定性好,适用于航空航天电力系统、雷达等领域。可提高系统的耐高温、耐辐照、抗冲击等性能。

工业控制:SiC功率器件可实现更小型化、更高效率的工业电机驱动系统。应用于数控机床、工业机器人等领域。