碳化硅

产品描述

6寸P级碳化硅晶片 4H-N型 R级 MOS级

可定制尺寸

产品摘要

n型衬底是支撑电力电子工业发展必不可少的重要材料，可广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车、光伏逆变器、轨道交通电力控制系统等。
公司主要供应导电碳化硅衬底，适用于制造肖特基二极管等功率器件， MOSFET和IGBT。尺寸主要包括2英寸、4英寸、6英寸和8英寸，非标准尺寸可定制。

产品参数

产品展示

产品特性

更高的化学稳定性：SIC晶圆具有更强的耐化学腐蚀能力，有助于提高器件的可靠性和耐用性。

更宽的带隙：SIC晶圆比硅具有更宽的带隙，使SIC器件在高温下性能更好、更稳定。

更好的抗辐射性：SIC晶圆具有更强的抗辐射能力，使其适合在辐射环境中使用，例如航天器和核设施。

更高的硬度：SIC晶圆比硅更硬，增强了晶圆在加工过程中的耐用性。

更低的介电常数：SIC晶圆的介电常数比硅低，有助于减少器件中的寄生电容，提高高频性能。

更高的饱和电子漂移速度：SIC晶圆具有比硅更高的饱和电子漂移速度，使SIC器件在高频应用中具有优势。

更高的功率密度： 凭借上述特性，SIC晶圆器件可以在更小的尺寸中实现更高的功率输出。

产品应用

无线通信：SiC晶圆用于射频功率放大器和无线通信系统中的高频应用，提供更高的功率密度和更高的性能。
高温电子：碳化硅晶圆适用于传统硅器件可能无法可靠运行的高温电子应用，例如井下钻井和汽车发动机控制系统。
医疗设备：SiC 晶圆因其耐用性、高导热性和抗辐射性而在 MRI 机器和 X 射线设备等医疗设备中得到应用。
研究与开发：碳化硅晶圆被用于研究实验室和学术机构，用于开发先进的半导体器件和探索电子领域的新技术。
其他应用：SiC 晶圆因其独特的性能和性能优势而被用于恶劣环境传感器、高功率激光器和量子计算等领域。