碳化硅

产品描述

产品展示

产品摘要

多个行业对 8 英寸 SiC 晶圆的需求正在迅速增加。这些高质量的基板对于支持研究、开发和商业应用至关重要。全球的半导体制造商、研究人员和创新者越来越青睐 8 英寸 SiC 晶圆，因为它们具有卓越的性能和广泛的潜在应用。

8 英寸 SiC 晶圆具有多功能性、可靠性和高性能，是推动下一代电子、功率器件和可再生能源技术发展不可或缺的一部分。它们更大的尺寸为器件制造提供了更大的表面积，从而能够生产更大、更复杂的半导体元件。

在我们公司，我们提供厚度为 8英寸的厚度为500μm和350 μm的碳化硅晶圆。这些晶圆为 4H-N 型，适用于主晶硅、虚拟晶圆和研究级应用。我们专注于提供专为研究和实验目的设计的高质量碳化硅晶圆。

产品参数

产品特性

更好的抗辐射性：SIC晶圆具有更强的抗辐射能力，使其适合在辐射环境中使用。例如航天器和核设施。

更高的硬度：SIC晶圆比硅更硬，增强了晶圆在加工过程中的耐用性。

更低的介电常数：SIC晶圆的介电常数比硅低，有助于减少器件中的寄生电容，提高高频性能。

更高的饱和电子漂移速度：SIC晶圆具有比硅更高的饱和电子漂移速度，使SIC器件在高频应用中具有优势。

更高的功率密度： 凭借上述特性，SIC晶圆器件可以在更小的尺寸中实现更高的功率输出。

产品应用

无线通信：SiC晶圆用于射频功率放大器和无线通信系统中的高频应用，提供更高的功率密度和更高的性能。

高温电子：碳化硅晶圆适用于传统硅器件可能无法可靠运行的高温电子应用，例如井下钻井和汽车发动机控制系统。

医疗设备：SiC 晶圆因其耐用性、高导热性和抗辐射性而在 MRI 机器和 X 射线设备等医疗设备中得到应用。