产品描述
3寸碳化硅晶圆 4H-N型 高的导热系数 高的电子迁移率 更高的击穿电压
可定制尺寸 现货
产品摘要
碳化硅晶圆是一种高性能材料,用于生产电子设备。它由硅晶圆顶部的碳化硅层制成,有不同的等级、类型和表面光洁度可供选择。晶圆的平坦度为 Lambda/10,这确保了由晶圆制成的电子设备具有最高的质量和性能。碳化硅晶圆是用于电力电子、LED 技术和先进传感器的理想材料。我们为电子和光电行业提供高质量的碳化硅晶圆(碳化硅)。
产品展示
产品参数
产品特性
更高的导热系数:SIC晶圆的导热系数比硅高得多,这意味着SIC晶圆可以有效散热,适合在高温环境下运行。
更高的电子迁移率:SIC晶圆比硅具有更高的电子迁移率,使SIC器件能够以更高的速度运行。
更高的击穿电压:SIC晶圆材料具有更高的击穿电压,使其适用于制造高压半导体器件。
更高的化学稳定性:SIC晶圆具有更强的耐化学腐蚀能力,有助于提高器件的可靠性和耐用性。
更宽的带隙:SIC晶圆比硅具有更宽的带隙,使SIC器件在高温下性能更好、更稳定。
更好的抗辐射性:SIC晶圆具有更强的抗辐射能力,使其适合在辐射环境中使用。例如航天器和核设施。
产品应用
无线通信:SiC晶圆用于射频功率放大器和无线通信系统中的高频应用,提供更高的功率密度和更高的性能。
高温电子:碳化硅晶圆适用于传统硅器件可能无法可靠运行的高温电子应用,例如井下钻井和汽车发动机控制系统。
医疗设备:SiC 晶圆因其耐用性、高导热性和抗辐射性而在 MRI 机器和 X 射线设备等医疗设备中得到应用。