硅晶体

产品描述

8寸Si硅片晶圆 高硬度 耐磨 可掺杂性 禁带宽度约为1.12eV

硅片尺寸：2寸，4寸，6寸，8寸，12寸

形状：矩形 方形

可定制加工尺寸和形状

产品摘要

硅晶圆通常由高纯度单晶硅棒切割而成。采用拉制法(Czochralski process)或浮区法(Float zone process)制备高纯度单晶硅棒,然后进行切割、抛光等工艺制成硅晶圆。常见的硅晶圆直径有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等规格。晶圆厚度一般在0.5-0.7毫米之间。硅晶圆可以通过掺入不同杂质元素(如磷、硼)来调节其电性特性,制造出n型或p型硅材料。这对于制造各种集成电路和半导体器件非常重要。硅晶圆表面需要经过抛光、清洗等处理,以去除表面缺陷和污染,确保晶圆表面平整光滑。

产品展示

产品参数

产品特性

晶体结构:硅是一种典型的单质元素半导体,具有规则的金刚石晶体结构,原子排列有序,这为其电子特性提供了良好的基础。

电子特性:硅的禁带宽度约为1.12eV,处于绝缘体和导体之间,在外加电场的作用下能够发生电子-空穴对的生成和复合,从而表现出良好的半导体特性。

可掺杂性:硅可以通过掺入III族(如B)或V族(如P、As)杂质元素来调节其导电类型和电阻率,为制造各种半导体器件提供可能。

可氧化性:硅能够在高温环境下与氧气发生化学反应,形成致密均匀的二氧化硅(SiO2)膜,这为硅基集成电路工艺奠定了基础。

机械特性:硅具有较高的硬度、强度和化学稳定性,利于后续的切割、抛光等加工工艺。

尺寸和大小:硅片可以制备成直径从2英寸到12英寸不等的圆盘状,满足不同工艺制程的需求。

产品应用

集成电路:硅片是制造各类数字集成电路(如CPU、存储器)和模拟集成电路(如运算放大器、传感器)的核心载体。

太阳能电池:将硅片制成太阳能电池组件,广泛应用于分布式光伏发电和电力供给。

微机电系统(MEMS):利用硅材料的机械特性和微加工技术制造微型执行器、传感器等MEMS器件。

功率电子器件:利用硅基的高温耐受性和高功率承载能力制造各类功率半导体器件。

传感器:硅基传感器广泛应用于电子设备、工业控制、汽车电子等领域,如压力传感器、加速度传感器等。