产品描述
8寸GaN-on-SiC硅基氮化镓外延晶圆 直径200mm 产品级 Mos级
可定制尺寸
产品摘要
通过在硅基板上生长单晶 GaN 薄膜，我们可以为下一代设备生产大型、廉价的半导体基板。用于家电中击穿电压在几百的开关设备和逆变器。用于手机基站中大功率和高频晶体管。我们的硅衬底生长GaN的成本比其他碳化硅或蓝宝石衬底更低，并且我们可以根据客户要求提供定制的GaN器件。带隙是指晶体中不含电子的能带结构形成的能量场（带隙大于硅的半导体材料通常被称为宽带隙半导体）。宽带隙材料具有良好的光学透明度和较高的电击穿电压。是不同材料的堆叠。一般来说，在半导体领域中，堆叠不同成分的半导体材料的相对较薄的薄膜。在混晶的情况下，可以得到具有原子级光滑界面和良好界面特性的异质结。由于这些界面，产生了一层具有高电子迁移率的二维电子气。总的来说,GaN-on-SiC 硅基氮化镓外延片晶圆是一种兼具高性能和成本优势的新型半导体材料,在高频微波和功率电子领域有广阔的应用前景。
产品展示
产品参数
产品特性
带隙宽度：氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，其直接带隙约为3.4 eV。宽带隙使其在高温、高压和高频应用中具有独特优势。
电子迁移率：氮化镓的电子迁移率较高，通常在1000-2000 cm²/V·s之间，适合用于高速电子器件。
热导率：氮化镓具有较高的热导率，约为130-170 W/m·K，这使得它在高功率器件中能够有效散热，提升器件的可靠性。
化学稳定性：氮化镓具有良好的化学稳定性，不易受腐蚀性环境影响，这使其在苛刻的操作环境中也能稳定工作。
击穿电场强度：氮化镓的击穿电场强度高，通常在3 MV/cm以上，适合用于高压功率器件。
机械硬度：氮化镓具有较高的机械硬度，通常为9 Mohs，有助于提高器件的耐磨性和耐用性。
产品应用
激光手术：
氮化镓基激光器：氮化镓材料在激光手术设备中用于产生蓝光或紫外光，这些光束具有高能量密度和精确聚焦的特点，可用于眼科手术（如视网膜修复）、皮肤治疗和其他微创手术。
医疗成像：
高频超声设备：氮化镓器件能够在超声设备中提供更高的频率和更好的分辨率，使得超声成像更加清晰，特别适用于心脏、胎儿和组织的详细检查。
X射线设备：硅基氮化镓技术在X射线探测器中提升了图像的清晰度和设备的耐用性，减少了患者在成像过程中暴露的辐射量。
紫外消毒：
深紫外LED：氮化镓基紫外LED可以产生短波紫外线（UVC），这种波长具有强烈的杀菌效果，被广泛应用于医疗设备和环境的消毒，如空气净化器、饮用水消毒系统和表面消毒设备。这些LED消毒设备具有小型化、低能耗和长寿命的优点。
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