砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

6寸导电型单晶SiC on 多晶SiC复合衬底 P型 N型 厚度500μm 

可定制尺寸

产品摘要

顶层为n型或p型单晶SiC薄膜，中间为多晶SiC缓冲层，底层为n型或p型单晶SiC衬底。单晶SiC薄膜厚度为5-20 μm。多晶SiC缓冲层厚度为50-300 μm。单晶SiC衬底厚度为300-500 μm。单晶SiC材料为4H或6H型。SiC材料掺杂浓度为1014-1018 cm-3。这种单晶SiC on 多晶SiC复合衬底兼具高性能SiC材料的优势,如宽禁带、高耐压、高温稳定性等,同时具有良好的集成制造兼容性,是功率电子、射频微波、高温传感等领域的关键材料基础。未来随着SiC技术进一步发展,其应用范围将进一步拓宽。

产品参数

以上是6英寸导电型单晶SiC on 多晶SiC复合衬底的主要技术参数。

产品特性

结构:顶层为n型或p型单晶SiC薄膜，中间为多晶SiC缓冲层，底层为n型或p型单晶SiC衬底。

材料特性:单晶SiC薄膜厚度: 5-20 μm，多晶SiC缓冲层厚度: 50-300 μm，单晶SiC衬底厚度: 300-500 μm，单晶SiC材料为4H或6H型，SiC材料掺杂浓度: 1014-1018 cm-3。

电学特性:单晶SiC薄膜电子/空穴迁移率: 800-1200/100-300 cm2/Vs，单晶SiC薄膜载流子浓度: 1014-1018 cm-3，单晶SiC薄膜方块电阻: 10-1000 Ω/sq，结构良好的p-n结或肖特基结。

热学特性:热导率: 150-380 W/m·K。工作温度范围: -55 to 600 °C

机械特性:硬度: 9-10 Mohs。抗压强度: 3-4 GPa。抗拉强度: 0.3-0.5 GPa

抗辐射和耐压特性:总剂量耐受性: > 10 Mrad。单事件效应抗性: > 100 MeV·cm2/mg。击穿电场强度: > 2 MV/cm

应用优势:高温、高功率、高频特性优异。抗辐射性强,适用于苛刻环境。可实现SiC功率器件和电路的单一衬底集成

产品应用

功率电子器件:功率开关管(MOSFET、IGBT、BJT等)；功率放大器；电源管理芯片；电动车辆动力系统；新能源电网设备

射频/微波器件:功率放大器；开关管；功率放大器芯片；雷达、卫星通信等装备

光电子器件:紫外光电探测器；蓝光/紫外LED和激光二极管；功率光电子器件

高温电子和传感器:压力传感器；温度传感器；辐射监测仪；工业过程控制系统

抗辐射电子设备:卫星及航天设备；核电站控制系统；军事电子装备

其他应用:电动车充电桩；电力变换及传输设备；工业电机驱动电磁脉冲防护设备