砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

4寸GaN-on-SiC硅基氮化镓外延片晶圆 直径100mm 可用于光电子器件 

可定制尺寸

产品摘要

通过在硅基板上生长单晶 GaN 薄膜，我们可以为下一代设备生产大型、廉价的半导体基板。用于家电中击穿电压在几百的开关设备和逆变器。用于手机基站中大功率和高频晶体管。我们的硅衬底生长GaN的成本比其他碳化硅或蓝宝石衬底更低，并且我们可以根据客户要求提供定制的GaN器件。带隙是指晶体中不含电子的能带结构形成的能量场（带隙大于硅的半导体材料通常被称为宽带隙半导体）。宽带隙材料具有良好的光学透明度和较高的电击穿电压。是不同材料的堆叠。一般来说，在半导体领域中，堆叠不同成分的半导体材料的相对较薄的薄膜。在混晶的情况下，可以得到具有原子级光滑界面和良好界面特性的异质结。由于这些界面，产生了一层具有高电子迁移率的二维电子气。总的来说,GaN-on-SiC 硅基氮化镓外延片晶圆是一种兼具高性能和成本优势的新型半导体材料,在高频微波和功率电子领域有广阔的应用前景。

产品展示

产品参数

产品特性

器件性能：硅基氮化镓晶圆在功率电子器件、射频器件和光电子器件（如LED）中表现优异，特别是在高压、高温、高频和高功率应用中。

化学稳定性：氮化镓具有良好的化学稳定性，不易受腐蚀性环境影响，这使其在苛刻的操作环境中也能稳定工作。

击穿电场强度：氮化镓的击穿电场强度高，通常在3 MV/cm以上，适合用于高压功率器件。

机械硬度：氮化镓具有较高的机械硬度，通常为9 Mohs，有助于提高器件的耐磨性和耐用性。

发光效率：氮化镓基材料在可见光范围内具有优异的发光效率，是制造LED和激光二极管的重要材料。

低泄漏电流：由于氮化镓的高阻抗和宽带隙特性，硅基氮化镓器件通常表现出极低的泄漏电流。

集成兼容性：硅基氮化镓器件可以与现有的硅基工艺相兼容，有助于降低生产成本并实现大规模生产。

产品应用

光电子器件：

发光二极管（LED）：氮化镓是制造蓝光和白光LED的核心材料，广泛用于显示器、照明和背光应用。

激光二极管：氮化镓基激光器广泛应用于蓝光光盘、激光投影仪和医疗设备中。

紫外LED：用于水净化、空气消毒和医疗设备中的深紫外LED器件。

高频通信设备：

毫米波通信：硅基氮化镓晶圆用于制造毫米波通信器件，支持高速数据传输，如5G网络和未来的6G通信技术。

卫星通信：由于其高频和高功率特性，氮化镓基器件在卫星通信系统中得到了广泛应用。

汽车电子：

电动汽车：用于电动汽车的功率转换系统，如电机驱动、车载充电器和电源管理系统，提供更高的效率和更小的体积。

车载雷达系统：氮化镓基雷达系统用于高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车，提供高分辨率和远距离探测能力。