砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

GaAS砷化镓晶圆 N型 2寸 3寸 4寸 6寸 用于砷化镓半导体载板 

可定制尺寸

GaAS砷化镓晶圆摘要

GaAs 广泛应用于高频微波电子设备、太阳能电池、光电探测器、LED、激光器等领域。在射频通信、雷达、光通信、航天等方面发挥关键作用。随着材料工艺的不断进步,GaAs 器件性能将进一步提高。GaAs 晶圆在微波/毫米波电子、光电子、太阳能电池、集成电路等领域发挥着重要作用,是一种极为重要的III-V族半导体材料。随着技术的不断进步,GaAs 器件的应用前景广阔。

GaAS砷化镓晶圆展示

GaAS砷化镓晶圆参数

GaAS砷化镓晶圆特性

高电子迁移率:
GaAs 的电子迁移率可达8000 cm^2/V·s,比硅高6倍左右。
这使得 GaAs 器件在高频、高速电子应用中具有优势。

直接带隙特性:

GaAs 是一种直接带隙半导体,有利于光电子器件的制造。

可用于制造高效的光电探测器、LED和激光器等光电子器件。

GaAS砷化镓晶圆应用

1.微波/毫米波电子器件:GaAs 基高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)。可用于制造高频放大器、开关、混频器等射频前端器件。应用于雷达、卫星通信、移动通信等微波/毫米波系统。

2.光电子器件:GaAs 基光电探测器、LED、激光器。可用于制造光纤通信系统的光收发模块。应用于光通信、光存储、光显示等领域。

3.太阳能电池:GaAs 基高效太阳能电池。应用于航天/航空领域的卫星及无人机电源。部分应用于地面太阳能发电系统。

4.集成电路:GaAs 基数字/模拟集成电路。可实现高速、高功率半导体芯片。应用于雷达、卫星通信、军用电子系统等领域。

5.功率放大器:GaAs 基功率放大器芯片。用于移动通信基站、卫星通信等高功率射频放大。

6.辐射环境电子系统:GaAs 器件具有良好的抗辐射性能。应用于航天航空、核电等辐射环境下的电子系统。